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安世半導體發布業內首款專門針對USB4TM標準開發的ESD保護器件

Nexperia, 分立器件、MOSFET器件及模擬和邏輯器件領域的生產專家,今日宣布推出PESD2V8R1BSF,這是業內首款專門針對USB4TM標準開發的ESD保護器件,具有行業領先的RF性能。新款器件采用Nexperia的TrEOS ESD技術與有源可控硅(SCR)技術,USB4TM和Thunderbolt接口設計工程師將會特別感興趣。該器件可實現極低電容(低至0.1 pF);極低鉗位電壓 動態電阻低至0.1 Ω)以及非常穩健的防浪涌與ESD性能(,最高可達20A 8/20 μs)。PESD2V8R1BSF采用超低電感SOD962封裝。

 

Nexperia產品經理Stefan Seider評論道:“為避免信號完整性問題,PESD2V8R1BSF ESD保護二極管提供極低的插入損耗和相應的低回波損耗,在10 GHz時分別為-0.21 dB和-17.4 dB。該ESD保護器件可滿足USB 3.2的較高電壓要求。這意味著,該器件可放置在USB Type-C®連接器后面,用于保護耦合電容,同時仍與USB3.2向后兼容!

 

TrEOS保護二極管采用非常緊湊、非?煽康腄SN0603-2 (SOD962)封裝。這種廣泛使用的0603外形尺寸能夠帶來諸多優勢,包括電感極低,可提供快速保護,并且可集成到單片電路中,無需焊線,從而減少了機械應力和熱應力。

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